| MOQ: | 1 insieme |
| prezzo: | Negoziabile |
| imballaggio standard: | CARTONE DEL PE BAG+ |
| Periodo di consegna: | 5-10 giorni |
| metodo di pagamento: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacità di approvvigionamento: | 1000sets/day |
JY12M N e MOSFET di Manica 30V di P per il driver del motore di BLDC
DESCRIZIONE GENERALE
Il JY12M è i transistor del campo di potere del modo di potenziamento di logica di Manica di P e di N
sono prodotti facendo uso di alta tecnologia della fossa di densità DMOS delle cellule. Ciò ad alta densità
il processo è adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato. Questi dispositivi sono
adatto a specialmente per l'applicazione di bassa tensione quali il telefono cellulare ed il taccuino
gestione di potere del computer ed altri circuiti a pile dove lati alto
la commutazione e la perdita di potere in-linea bassa sono necessarie in una superficie molto piccola del profilo
pacchetto del supporto.
CARATTERISTICHE
| Dispositivo | RDS (SOPRA) MAX | IDMAX (25ºC) |
| N-Manica | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-Manica | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Capacità introdotta bassa
●Velocità di commutazione veloce
APPLICAZIONI
●Gestione di potere
●Convertitore di DC/DC
●Controllo motorio di CC
●Invertitore LCD dell'esposizione del monitor & della TV
●Invertitore di CCFL
Valutazioni massime assolute (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
| Parametro | Simbolo | Manica di N | Manica di P | Unità | |||
| sec 10 | Costante | sec 10 | Costante | ||||
| Vuoti la tensione di fonte | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| Tensione di fonte di portone | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| Continuo Vuoti corrente |
ºC Ta=25 | Identificazione | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
| Corrente pulsata dello scolo | IDM | 30 | -30 | ||||
| Potere massimo Dissipazione |
ºC Ta=25 | Palladio | 1,5 | W | |||
| ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
| Giunzione di funzionamento Temperatura |
TJ | -55 - 150 | ºC | ||||
| Resistenza termica Giunzione ad ambientale |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| Resistenza termica Giunzione da rivestire |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità | |
| Elettricità statica | |||||||
| VGS (Th) | Soglia del portone Tensione |
VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
| IGSS | Perdita del portone Corrente |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | Na | ||
| P-Ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Tensione zero del portone Vuoti corrente |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | uA | ||
| VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
| IDENTIFICAZIONE (SOPRA) | Scolo dello Su stato Corrente |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
| RDS (SOPRA) | Scolo-fonte Su stato Resistenza |
VGS =10V, IDENTIFICAZIONE =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICAZIONE =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICAZIONE =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
| VSD | Diodo di andata Tensione |
È =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
| È =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
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MANUALE DELL'UTENTE DI DOWNLOAD JY12M
| MOQ: | 1 insieme |
| prezzo: | Negoziabile |
| imballaggio standard: | CARTONE DEL PE BAG+ |
| Periodo di consegna: | 5-10 giorni |
| metodo di pagamento: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacità di approvvigionamento: | 1000sets/day |
JY12M N e MOSFET di Manica 30V di P per il driver del motore di BLDC
DESCRIZIONE GENERALE
Il JY12M è i transistor del campo di potere del modo di potenziamento di logica di Manica di P e di N
sono prodotti facendo uso di alta tecnologia della fossa di densità DMOS delle cellule. Ciò ad alta densità
il processo è adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato. Questi dispositivi sono
adatto a specialmente per l'applicazione di bassa tensione quali il telefono cellulare ed il taccuino
gestione di potere del computer ed altri circuiti a pile dove lati alto
la commutazione e la perdita di potere in-linea bassa sono necessarie in una superficie molto piccola del profilo
pacchetto del supporto.
CARATTERISTICHE
| Dispositivo | RDS (SOPRA) MAX | IDMAX (25ºC) |
| N-Manica | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-Manica | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Capacità introdotta bassa
●Velocità di commutazione veloce
APPLICAZIONI
●Gestione di potere
●Convertitore di DC/DC
●Controllo motorio di CC
●Invertitore LCD dell'esposizione del monitor & della TV
●Invertitore di CCFL
Valutazioni massime assolute (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
| Parametro | Simbolo | Manica di N | Manica di P | Unità | |||
| sec 10 | Costante | sec 10 | Costante | ||||
| Vuoti la tensione di fonte | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| Tensione di fonte di portone | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| Continuo Vuoti corrente |
ºC Ta=25 | Identificazione | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
| Corrente pulsata dello scolo | IDM | 30 | -30 | ||||
| Potere massimo Dissipazione |
ºC Ta=25 | Palladio | 1,5 | W | |||
| ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
| Giunzione di funzionamento Temperatura |
TJ | -55 - 150 | ºC | ||||
| Resistenza termica Giunzione ad ambientale |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| Resistenza termica Giunzione da rivestire |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità | |
| Elettricità statica | |||||||
| VGS (Th) | Soglia del portone Tensione |
VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
| IGSS | Perdita del portone Corrente |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | Na | ||
| P-Ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Tensione zero del portone Vuoti corrente |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | uA | ||
| VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
| IDENTIFICAZIONE (SOPRA) | Scolo dello Su stato Corrente |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
| RDS (SOPRA) | Scolo-fonte Su stato Resistenza |
VGS =10V, IDENTIFICAZIONE =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICAZIONE =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICAZIONE =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
| VSD | Diodo di andata Tensione |
È =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
| È =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
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MANUALE DELL'UTENTE DI DOWNLOAD JY12M