MOQ: | 1 insieme |
prezzo: | negotiable |
imballaggio standard: | CARTONE DEL PE BAG+ |
Periodo di consegna: | 5-10 giorni |
metodo di pagamento: | T/T, L/C, Paypal |
Capacità di approvvigionamento: | 1000sets/day |
MOSFET di potere di JY14M N Channel Enhancement Mode per il driver del motore di BLDC
DESCRIZIONE GENERALE
Il JY14M utilizza le tecniche di trattamento dell'ultima fossa per raggiungere l'alta cellula
la densità e riduce la su resistenza con l'alta valutazione ripetitiva della valanga. Questi
le caratteristiche si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per
uso nell'applicazione di commutazione di potenza e un'ampia varietà di altre applicazioni.
CARATTERISTICHE
●40V/200A, RDS (SOPRA) =2.5MΩ@VGS=10V
●Commutazione veloce e recupero inverso del corpo
●Completamente ha caratterizzato la tensione e la corrente di valanga
●Pacchetto eccellente per buona dissipazione di calore
APPLICAZIONI
●Applicazione di commutazione
●Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
●Gestione di potere per i sistemi dell'invertitore
Valutazioni massime assolute (Tc=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Limite | Unità | |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 40 | V | |
VGS | Tensione di Portone-fonte | ± 20 | V | |
Identificazione | Scolo continuo Corrente |
Tc=25ºC | 200 | |
Tc=100ºC | 130 | |||
IDM | Corrente pulsata dello scolo | 720 | ||
Palladio | Dissipazione di potere massima | 210 | W | |
TJ TSTG | Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione Gamma |
-55 - +175 | ºC | |
RθJC | Resistenza-giunzione termica da rivestire | 0,65 | ºC/W | |
RθJA | Resistenza-giunzione termica ad ambientale | 62 |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Caratteristiche statiche | ||||||
BVDSS | Scolo-fonte Tensione di ripartizione |
VGS =0V, ID =250UA | 40 | V | ||
IDSS | Tensione zero del portone Vuoti corrente |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
IGSS | Perdita del Portone-corpo Corrente |
=± 20V, VDS =0V di VGS | ± 100 | Na | ||
VGS (Th) | Soglia del portone Tensione |
VDS = VGS, ID =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
RDS (SOPRA) | Scolo-fonte resistenza dello Su stato |
VGS =10V, ID =60A | 2,5 | mΩ | ||
gFS | Di andata Transconduttanza |
VDS =20V, ID =60A | 100 | S |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte | ||||||
VSD | Diodo di andata Tensione |
VGS =0V, ISD =100A | 1,2 | V | ||
Trr | Tempo di recupero inverso | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | NS | ||
Qrr | Tassa inversa di recupero | 58 | nC | |||
Caratteristiche dinamiche | ||||||
RG | Resistenza del portone | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
Il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | VDS =20V, RG =6Ω, ID =100A, VGS =10V, |
34 | NS | ||
TR | Tempo di aumento d'apertura | 22 | ||||
Il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | 48 | ||||
Tf | Tempo di caduta di giro-fuori | 60 | ||||
CISS | Capacità introdotta | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
COSS | Capacità di uscita | 1460 | ||||
CRSS | Trasferimento inverso Capacità |
600 | ||||
Qg | Tassa totale del portone | VDS =30V, IDENTIFICAZIONE =100A, VGS =10V |
160 | nC | ||
Qgs | Tassa di Portone-fonte | 32 | ||||
Qgd | Tassa dello Portone-scolo | 58 |
MANUALE DELL'UTENTE DI DOWNLOAD JY14M
MOQ: | 1 insieme |
prezzo: | negotiable |
imballaggio standard: | CARTONE DEL PE BAG+ |
Periodo di consegna: | 5-10 giorni |
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Capacità di approvvigionamento: | 1000sets/day |
MOSFET di potere di JY14M N Channel Enhancement Mode per il driver del motore di BLDC
DESCRIZIONE GENERALE
Il JY14M utilizza le tecniche di trattamento dell'ultima fossa per raggiungere l'alta cellula
la densità e riduce la su resistenza con l'alta valutazione ripetitiva della valanga. Questi
le caratteristiche si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per
uso nell'applicazione di commutazione di potenza e un'ampia varietà di altre applicazioni.
CARATTERISTICHE
●40V/200A, RDS (SOPRA) =2.5MΩ@VGS=10V
●Commutazione veloce e recupero inverso del corpo
●Completamente ha caratterizzato la tensione e la corrente di valanga
●Pacchetto eccellente per buona dissipazione di calore
APPLICAZIONI
●Applicazione di commutazione
●Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
●Gestione di potere per i sistemi dell'invertitore
Valutazioni massime assolute (Tc=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Limite | Unità | |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 40 | V | |
VGS | Tensione di Portone-fonte | ± 20 | V | |
Identificazione | Scolo continuo Corrente |
Tc=25ºC | 200 | |
Tc=100ºC | 130 | |||
IDM | Corrente pulsata dello scolo | 720 | ||
Palladio | Dissipazione di potere massima | 210 | W | |
TJ TSTG | Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione Gamma |
-55 - +175 | ºC | |
RθJC | Resistenza-giunzione termica da rivestire | 0,65 | ºC/W | |
RθJA | Resistenza-giunzione termica ad ambientale | 62 |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Caratteristiche statiche | ||||||
BVDSS | Scolo-fonte Tensione di ripartizione |
VGS =0V, ID =250UA | 40 | V | ||
IDSS | Tensione zero del portone Vuoti corrente |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
IGSS | Perdita del Portone-corpo Corrente |
=± 20V, VDS =0V di VGS | ± 100 | Na | ||
VGS (Th) | Soglia del portone Tensione |
VDS = VGS, ID =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
RDS (SOPRA) | Scolo-fonte resistenza dello Su stato |
VGS =10V, ID =60A | 2,5 | mΩ | ||
gFS | Di andata Transconduttanza |
VDS =20V, ID =60A | 100 | S |
Caratteristiche elettriche (Ta=25ºC salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte | ||||||
VSD | Diodo di andata Tensione |
VGS =0V, ISD =100A | 1,2 | V | ||
Trr | Tempo di recupero inverso | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | NS | ||
Qrr | Tassa inversa di recupero | 58 | nC | |||
Caratteristiche dinamiche | ||||||
RG | Resistenza del portone | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
Il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | VDS =20V, RG =6Ω, ID =100A, VGS =10V, |
34 | NS | ||
TR | Tempo di aumento d'apertura | 22 | ||||
Il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | 48 | ||||
Tf | Tempo di caduta di giro-fuori | 60 | ||||
CISS | Capacità introdotta | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
COSS | Capacità di uscita | 1460 | ||||
CRSS | Trasferimento inverso Capacità |
600 | ||||
Qg | Tassa totale del portone | VDS =30V, IDENTIFICAZIONE =100A, VGS =10V |
160 | nC | ||
Qgs | Tassa di Portone-fonte | 32 | ||||
Qgd | Tassa dello Portone-scolo | 58 |
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