Controllo ottimale ad alta velocità di IC JY21L del driver del portone per il MOSFET e IGBT di potere

JY21L

Alto e driver laterale basso

Descrizione generale

Il prodotto è un driver ad alta tensione e ad alta velocità del MOSFET di potere e di IGBT basato sul processo di P-SUB P-EPI. Il driver del canale di galleggiamento può essere usato per guidare indipendente il MOSFET o IGBT di potere di N-Manica due che funzionano fino a 150V. Gli input di logica sono compatibili con l'uscita standard di LSTTL o di CMOS, giù a logica 3.3V. I driver dell'uscita caratterizzano un separatore corrente di alto impulso progettato per la conduzione trasversale del driver minimo. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso nelle applicazioni ad alta frequenza. Ottenga più dettagli prego cliccano qui.

Caratteristiche

●logica 3.3V compatibile
●Completamente - operativo a +150V
●Canale di galleggiamento progettato per l'operazione della linguetta per calzare gli stivali
●Gamma del rifornimento dell'azionamento del portone da 5.5V a 20V
●Capacità corrente 450mA/850mA di fonte/lavandino dell'uscita
●Input indipendente di logica per accomodare tutte le topologie
●-5V negativo contro abilità
●Ritardo di propagazione abbinato per entrambi i canali

Applicazioni

●Driver del MOSFET o di IGBT di potere
●Piccolo e driver di media potenza del motore

Pacchetti e circuito di applicazione

Pin Description

Schema a blocchi funzionale